Galaxy S6 / S6 edgeのストレージ性能が他社のハイエンドモデルよりもはるかに高いことが確認される
Samsung は Galaxy S6 / S6 edge の内蔵ストレージにフラッシュメモリの規格で最新の UFS 2.0 メモリを採用しており、ストレージ性能は大幅に向上したと言っていますが、そのストレージ性能を確認できるベンチマークアプリのテスト結果が海外の WEB サイト Phone Arena で公開されました。
同サイトのテストでは、ストレージ性能に特化したベンチマークアプリ「AndroBench」を利用しており、Galaxy S6 / S6 edge、Galaxy Note 4、Galaxy S5、Xperia Z3、HTC One（M8）、LG G3 とスコアを比較しています。
テストパターンはシーケンシャル・ランダムのリード・ライトの 4 項目で、テストファイルのサイズは不明ですが、グラフで Galaxy S6 / S6 edge が他社の端末に比べて大幅に高いスコアを叩きだしていることを確認できます。
一般的に個人の PC やスマートフォンではランダムアクセスが主流になるのでランダムアクセスに目をやると、ランダムリードのスコアは比較対象の中で最も高い Galaxy Note 4 が 20.56MB/s であるのに対いて、Galaxy S6 / S6 edge は 3.75倍高い 77.2MB/s でした。
一番重要なランダムライトの場合、比較対象の中で最も高いスコアだった Xperia Z3 が 9.28MB/s であるのに対して、Galaxy S6 / S6 edge は 2.13 倍の 19.8MB/s でした。
シーケンシャルアクセスの場合も比較対象に比べて 2 倍以上のスコアを叩きだしているので、あくまでもベンチマークアプリによるテスト結果ではありますが、ストレージ性能は他社よりも明らかに高いと言えそうです。
Source : Phone Arena
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