次世代Galaxy Sではハードウェア的にプチフリ問題は解決?

投稿日時 9月 18th, 2010 by juggly 投稿カテゴリ » Androidニュース
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今月7日、Samsungは主にスマートフォン、タブレット、ノートPC向けの新しいSoC(Systems On Chip)『Orion』を台湾で発表しました。そのとき、同社オリジナルの組込型メモリカード・ソリューション「mobiNAND」のスマートフォン向け新製品も発表されていたようです。

発表された新製品は、最新のe-MMC Specification 4.41に対応したもので、現行のもの(e-MMC 4.4対応版)に比べてプロセッサからの呼び出しへの反応がより高速となっているそうです。これはe-MMC Specification 4.41において、High Performance Intrrupt(HPI)をサポートと、各コマンドのバックグラウンド処理の性能が向上したことから・・・らしい。

HPIの方は、例えばmobiNANDにWrite処理が行われている最中にアプリを起動したり、写真や動画などのデータの読み込み処理を実行すると、HPIコマンドが発行されてWrite処理が一時停することで即座にユーザの操作に応答するというもの・・らしい。最新のコマンドを優先的に処理させることができるみたいです。

また、この新しいmibiNANDは、8GBモデルで30nmプロセス(16GBモデルでは20nm)で製造される32GビットNAND型フラッシュ・メモリ5個、高速マルチ・メディア・カード(MMC)コントローラおよび関連ファームウェアで構成されており幅は1mm、現行のものと比べてより薄くなっています。

8GBモデルの方は既に生産中で16GBモデルの方は今月中に生産を開始、年内までに30nmプロセスの製品を20nmプロセスに置き換える計画だそうです。

要は、現行のGalaxy Sで発生している”プチフリ”問題をもしかするとハードウェア敵に改善してくれるかも知れない、ということ。既に一部のメーカーに対して提供中らしいのですが、その反応は上々とのこと。

もしかすると、次世代Galaxy Sにはこの新しいmobiNANDが搭載されて発売されるかも知れませんね。というかそうなるでしょう。あとはファイルシステムの問題?

Via:symbian-freak